Impacto de falhas transientes em memórias SRAM em nanotecnologia

Autores

  • Paulo Butzen Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFGS)
  • Cristina Meinhardt Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)
  • Cleiton Marques Universidade Federal do Rio Grande (FURG)

DOI:

https://doi.org/10.5753/reic.2020.1751

Resumo

Esse trabalho avalia o impacto de falhas transientes induzidos por radiação em cinco topologias de células SRAM: 6T, 8T, 9T, 8T-SER e DICE. A análise explora as características temporais, de dissipação de potência e o limiar de LET durante a operação de armazenamento. As células de memória foram descritas utilizando o modelo preditivo na tecnologia de 16nm. Os resultados mostram o melhor desempenho da célula DICE como a opção mais robusta quanto aos efeitos de radiação. A célula 8T-SER obteve a melhor estabilidade considerando a tolerância ao ruído. Também são apresentados os ganhos na utilização da célula 8T em relação a 6T quando consideradas as métricas de atraso e consumo energético.

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Publicado

2020-11-15

Como Citar

Butzen, P., Meinhardt, C., & Marques, C. (2020). Impacto de falhas transientes em memórias SRAM em nanotecnologia. Revista Eletrônica De Iniciação Científica Em Computação, 18(3). https://doi.org/10.5753/reic.2020.1751