Simulando padrões de acesso a memória com Wasserstein-GAN

• Arnon Bruno Ventrilho dos Santos UFPR
• Francis Birck Moreira UFPR
• Marco Antonio Zanata Alves UFPR

DOI: https://doi.org/10.5753/eradrs.2022.19168

Resumo

Neste trabalho exploramos a possibilidade de simular traços de padrões de acesso a memória utilizando o mecanismo de redes neurais adversárias denominado Wasserstein-GAN (WGAN). A experimentação demonstrou que os padrões de footprint, diferença média entre endereços e reutilização de memória obtidos artificialmente são diferentes daqueles verificados a partir dos padrões reais. Este resultado sugere que o mecanismo de produção de traços artificiais não foi capaz de simular acessos com padrões realistas.

Referências

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